رشد بلور (Bi۲Te۳)۰.۹۶(Bi۲Se۳)۰.۰۴ به روش رشد ناحیه ای و بررسی تغییرات شیمیایی ترکیب در راستای رشد
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 31
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJCM-18-1_008
تاریخ نمایه سازی: 20 مرداد 1402
Abstract:
ترکیب (Bi۲Te۳)۰.۹۶(Bi۲Se۳)۰.۰۴ نیمرسانای نوعn- برای استفاده در سیستمهای سرد کنندهی ترموالکتریکی است. تک بلور این ترکیب به روش رشد ناحیهای رشد داده شد و توان ترموالکتریکی (σ α ۲) در امتداد رشد نمونهی بلورین که در آن σ رسانایی الکتریکی، α ضریب سیبک است اندازهگیری شد. در این اندازهگیری شیب چشمگیری در توان ترموالکتریکی در امتداد نمونه مشاهده شد. ساختارهای ترکیب در بخشهایی از بلور رشد داده شده به روش آنالیزXRD مورد بررسی قرار گرفت. تغییرات ترکیب شیمیایی (تابع توزیع Bi۲Se۳) برازش هم ارزی با تغییرات توان ترموالکتریکی در امتداد میلهی رشد داده شده دارد. فرایند تجربی رشد بلور با تحلیل ریاضی شبیهسازی شد. با تحلیل ریاضی شیب تراکم Bi۲Se۳ در امتداد نمونهی رشد داده شده بررسی و معلوم شد که در فرایند رشد تغییرات مقدار Bi۲Se۳ در راستای رشد بلور Bi۲Se۳-Bi۲Te۳ چشمگیر است.
Keywords:
thermoelectric semiconductor , crystal growth , thermoelectric power , quasi binary solid solution. , نیمرسانای ترموالکتریکی , رشد بلور , توان ترموالکتریکی , محلول جامد شبه دوتایی.
Authors
مسعودالله کرمی
آزمایشگاه ترموالکتریک
لیلا سید فرجی
آزمایشگاه ترموالکتریک
کامران احمدی
آزمایشگاه ترموالکتریک
قاسم کاوه ای
آزمایشگاه ترموالکتریک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :