سنتز تک لایه نانومتریWS۲ با روش رسوب بخار شیمیایی
Publish place: Journal Of Modeling in Engineering، Vol: 21، Issue: 73
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 82
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JME-21-73_005
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1402
Abstract:
تک لایه تنگستن دی سولفید (WS۲) به دلیل دارا بودن شکاف نوار مستقیم و شدت نوردهی بالا، نوید بخش بسیار خوبی برای استفاده در دستگاه های نوری می باشد. در این پژوهش، تک لایه WS۲ را در شرایط دمایی کنترل شده سنتز و فیلم های تولید شده را با استفاده از طیف سنجی مادون قرمز (FT-IR)، رامان، اشعه ایکس (XRD) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخصه یابی کردیم. نتایج نشان می دهد که ورود گاز آرگون به عنوان حامل، باعث بهبود کیفیت لایه شده و سطح رشد WS۲ را افزایش می دهد و در نتیجه فیلم ها ضخامت پوششی متوسط ۴۳ نانومتری را نشان می دهند. با کنترل دمایی رشد و ورود به موقع گاز حامل آرگون به طور موثرتری پیش ساز WO۳ کاهش یافته و از اکسیداسیون تک لایه های سنتز شده محافظت می شود. نتایج بدست آمده حاکی از سنتز کامل ساختار دو بعدی تک لایه با صفحات متشکل از اندازه کریستالی حدود ۲۶ نانومتر با ضخامت در حدود ۴۳ نانومتر می باشد.
Keywords:
Authors
مریم نیری
عضو هیات علمی و مدیر پژوهش و فناوری دانشگاه آزاد یزد
حامد طاهری
دانشکده امام علی (ع)
فاطمه استواری
دانشکده فیزیک دانشگاه یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :