ساخت دیود شاتکی پلیمری با ساختار Al-PANI/MWCNT-Au

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 66

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-14-2_005

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402

Abstract:

در این پژوهش دیود شاتکی با ساختار Al-PANI/MWCNT-Au به روش لایه نشانی چرخشی و بخار فیزیکی ساخته شده است. برای این منظور لایه نازکی از طلا بر روی شیشه آزمایشگاهی به روش بخار فیزیکی لایه نشانی شد، سپس پلی آنیلین در محیطی که نانو لوله کربنی پخش شده بود، به روش پلیمریزاسیون رادیکالی پلیمریزه شده و کامپوزیت پلی آنیلین/ نانو لوله کربنی چند دیواره تهیه گردید. فیلم یکنواختی از کامپوزیت حاصل روی سطح طلا با روش لایه نشانی چرخشی ایجاد شد، سپس لایه نازکی از آلومینیوم به روش بخار فیزیکی روی فیلم پلیمری ایجاد گردید. منحنی مشخصه جریان- ولتاژ دیود ساخته شده، رسم و بررسی شد. نتایج نشان می دهد که این منحنی غیرخطی و نامتقارن است و افزاره رفتار دیودی و یکسوسازی از خود نشان می دهد. تئوری های انتقال جریان برای دیود بررسی شد و مشاهده گردید که برای نمونه دیود ساخته شده با کامپوزیت پلی آنیلین و نانو لوله کربنی فرآیند غالب انتقال جریان، Space-Charge Limited Conduction (SCLC) می باشد.

Keywords:

دیود شاتکی , پلی آنیلین , نانولوله کربنی چند دیواره , لایه نشانی چرخشی

Authors

عسگر حاجی بدلی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار

مجید بقائی نژاد

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار

غلامعلی فرزی

گروه مهندسی مواد و پلیمر، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • W Lee, D Kim, Y Jang, J Cho, M Hwang, ...
  • S Jussila, M Puustinen, T Hassinen, J Olkkonen, H G ...
  • T Sekitani, H Nakajima, H Maeda, T Fukushima, T Aida, ...
  • S F Tedde, J Kern, T Sterzl, J Frst, P ...
  • R Bechara, J Petersen, V Gernigon, P Lévêque, T Heiser, ...
  • Y Chen, Z Jiang, M Gao, S E Watkins, P ...
  • K S Kang, Y Chen, H K Lim, K Y ...
  • C Hyun Kim, O Yaghmazadeh, D Tondelier, Y B Jeong, ...
  • V Saxena, and K S V Santhanam, Cur. Appl. Phys. ...
  • R K Gupta, and R A Singh, Mater. Sci. in ...
  • A Hassanien, M Gao, M Tokumoto, and L Dai, Chem. ...
  • M Cochet, W K Maser, A M Benito, M A ...
  • S A Curran, P M Ajayan, W J Blau, D ...
  • P C Ramamurthy, W R Harrell, R V Gregory, B ...
  • S Bandyopadhyay, A Bhattacharyya, and S K Sen, J. Appl. ...
  • S M Sze and K K Ng, “Physics of Semiconductor ...
  • H Tomozawa, F Braun, S Phillps, A J Heeger, and ...
  • E H Rhoderick, R H Williams, “Metal Semiconductor Contacts”, second ...
  • K C Kao, W Hwang, “Electrical Transport in Solids”, Pergamon ...
  • M A Lampert, P Mark, “Current injection in solids”, New ...
  • نمایش کامل مراجع