جرم موثر در نیمه هادی های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 13، Issue: 3
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 125
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-13-3_013
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
Abstract:
نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (۰۰۰۱) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و MCD را به صورت تابعی از انرژی در فاصله ۴- ۵/۱ الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر یک از نمونه ها با استفاده از اثر هال اندازه گیری شدند. مشاهده شد گاف های نواری با چگالی حامل ها تغییر می کنند. از این روی جرم موثر حامل ها از طریق اثر بورستین- ماس و انقباض گاف های نواری محاسبه شده است.
Keywords:
Authors
- عباس مختاری
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک