طراحی سلول SRAM هشت ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختار جایگذاری بیت
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 8، Issue: 2
Publish Year: 1396
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 150
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-8-2_013
Index date: 31 October 2023
طراحی سلول SRAM هشت ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختار جایگذاری بیت abstract
در این مقاله یک سلول SRAM هشت ترانزیستوری با عملکرد زیر ناحیه ی آستانه ارائه می شود که در آن ضمن بهبود عملیات خواندن و نوشتن، مصرف توان کاهش چشمگیری دارد. سلول پیشنهادی عملیات نوشتن را به صورت دیفرانسیلی و عملیات خواندن را به صورت یکطرفه انجام می دهد. در این طراحی از ترکیب مناسب تکنیک هایی استفاده شده که نهایتا منجر به بهبود عملکرد سلول می شود. این روش ها عبارتند از تضعیف فیدبک وارونگرها در مد نوشتن، استفاده از ویژگی افزایش ولتاژ اعمالی به ترانزیستورهای دسترسی، حذف یکی از ترانزیستورهای راه انداز و جداسازی گره ذخیره از ترانزیستور دسترسی خواندن توسط بافر. شبیه سازیها در تکنولوژی ۳۲ نانومتر PTM، نشان میدهد که سلول پیشنهادی، در تغذیه ی ۰.۳ولت، مصرف توان مد خواندن را نسبت به سلول ۶ ترانزیستوری استاندارد، %۹۳ مصرف توان مد نوشتن را، %۸۰ بهبود می بخشد. علاوه بر این، سلول پیشنهادی، در مقایسه با سلول های مشابه دیگر که قابل اجرا در ساختار جایگذاری بیت هستند، دارای مصرف توان کمتر و مد نوشتن قوی تری است. این در حالی است که سلول پیشنهادی در مد خواندن نیز از عملکرد مطلوبی برخوردار است.
طراحی سلول SRAM هشت ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختار جایگذاری بیت Keywords:
طراحی سلول SRAM هشت ترانزیستوری جدید زیر ناحیه ی آستانه با توانایی نوشتن دیفرانسیلی و خواندن یکطرفه سازگار با ساختار جایگذاری بیت authors
راهبه نیارکی اصلی
دانشگاه گیلان، دکترای برق
مریم نوبخت
دانش آموخته کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک دانشگاه گیلان