افزایش پهنای باند آنتن الکتریکی کوچک با استفاده از مدارات فعال غیر فاستری به عنوان شبه فراماده
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 7، Issue: 4
Publish Year: 1395
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 168
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-7-4_010
Index date: 31 October 2023
افزایش پهنای باند آنتن الکتریکی کوچک با استفاده از مدارات فعال غیر فاستری به عنوان شبه فراماده abstract
امروزه استفاده از روش هایی برای کوچک سازی ادوات مخابراتی در سیستم های ارتباطی جدید از جمله انواع رادیوهای دستی، تطبیق پذیر و نرم افزاری از موارد مهم تحقیقاتی در صنایع ارتباطی محسوب می شود. یکی از به روزترین و کاربردی ترین این روش ها، استفاده از فرامواد به منظور کوچک سازی ادوات مخابراتی و به خصوص آنتن است. از اشکالات مهم روش های مرسوم مبتنی بر فراماده افزایش شدید ضریب کیفیت و کاهش محسوس پهنای باند آنتن می باشد. در این مقاله ایده استفاده از مدارات فعال به منظور جبران سازی ادمیتانس آنتن های کوچک در پهنای باند وسیع به عنوان یک راه حل اساسی در افزایش پهنای باند مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله استفاده از مدار فعال به عنوان جایگزین شبه فراماده، شبیه سازی و پیاده سازی شده و مورد تست و ارزیابی قرار گرفته است. برای این منظور از دو نوع مدار منفی کننده امپدانس ترانزیستوری و آپ-امپی استفاده شده است. این مدارات، امپدانسی معادل یک ساختار با خازن منفی تولید می کنند. نتایج اندازه گیری نشان می دهد که روش پیشنهادی موجب بهبود در کاهش فرکانس رزنانس تا ۱۰ برابر فرکانس رزونانس روش های مرسوم و درصد پهنای باند نسبی بیش از ۶۶% در مدار ترانزیستوری و ۱۰۰% در مدار آپ-امپی شده است.
افزایش پهنای باند آنتن الکتریکی کوچک با استفاده از مدارات فعال غیر فاستری به عنوان شبه فراماده Keywords:
افزایش پهنای باند آنتن الکتریکی کوچک با استفاده از مدارات فعال غیر فاستری به عنوان شبه فراماده authors
امیر جعفرقلی
دانشگاه صنعتی امیرکبیر
محمد جواد حسنی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
محمد تندرو
دانشگاه صنعتی شریف