کلید تمامنوری غیرخطی با ساختار تداخلی ساگناک مبتنی بر تقویتکننده نوری نیم رسانا و آثار متقابل پالسهای خلاف جهت
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 3، Issue: 3
Publish Year: 1391
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 135
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-3-3_005
Index date: 31 October 2023
کلید تمامنوری غیرخطی با ساختار تداخلی ساگناک مبتنی بر تقویتکننده نوری نیم رسانا و آثار متقابل پالسهای خلاف جهت abstract
در این مقاله ساختار تداخلی ساگناک بر پایهی اثرات متقابل پالسهای خلاف جهت فوق باریک درتقویتکننده نوری نیم رسانا مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. با استفاده از مدلی جامع،معادله شرودینگر غیرخطی تعمیم یافته با در نظر گرفتن کلیه پدیدههای غیرخطی در حوزه زیرقله و ثانیه از جمله پراش سرعت گروه( GVD )، تغییرات غیرخطی بهره و ضریب شکست،سوختگی طیفی( SHB )، داغشدگی حامل( CH ) و جذب دو فوتونی( TPA ) برای انتشار پالس درتقویتکننده نوری نیم رسانا به کار گرفته شده است. با استفاده از مدل اشاره شده برای اولین بارآهنگ کلید زنی را در درگاه خروجی مورد نظر به آهنگ ۱۶۷ Gb/s از میان رشته داده با آهنگ۶۶۷ Gb/s رساندهایم. همچنین تاثیر بهره سیگنال کوچک (غیر اشباع) تقویتکننده، پهنا و انرژیپالس کنترل بر عملکرد کلید بررسی شده است.
کلید تمامنوری غیرخطی با ساختار تداخلی ساگناک مبتنی بر تقویتکننده نوری نیم رسانا و آثار متقابل پالسهای خلاف جهت Keywords:
کلید تمامنوری غیرخطی با ساختار تداخلی ساگناک مبتنی بر تقویتکننده نوری نیم رسانا و آثار متقابل پالسهای خلاف جهت authors
وحید احمدی
دانشگاه تربیت مدرس- عضو هیات علمی
مرتضی جمالی
دانشگاه تربیت مدرس
محمد رزاقی
دانشگاه کردستان