بررسی اثر فوتورسانش با لیزر اگزایمر و تحولات ساختاری، اپتیکی و شیمیایی در لایه های نازک ZnO

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 14

نسخه کامل این Paper ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJSSE-10-22_001

تاریخ نمایه سازی: 10 آبان 1402

Abstract:

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی آلائیده با آلومینیوم به غلظت های ۰، ۳، ۶ و ۱۲ درصد مولی آلومینیوم به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شد. لایه های آماده شده در دماهای °C۵۰۰-۳۰۰ به مدت یک ساعت در هوا پخت شدند. پراش پرتو ایکس (XRD) ساختار بلوری ورتسایت هگزاگونال برای لایه های بازپخت شده در دمای بالاتر از °C ۴۰۰ نشان داد. سپس لایه ها تحت تابش پرتو لیزر (nm ۲۴۸ = λ، KrF) قرار گرفتند. تحول ساختار بلوری و مورفولوژی سطح با استفاده از XRD، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدان (FE-SEM) انجام شد. اندازه گیری زمان پاسخ جریان الکتریکی در طول تابش پرتو لیزر مقاومت پایا و گذرا وابسته به نوع نمونه را نشان می دهد. اثر انرژی لیزر بر رسانندگی فوتونی نیز بررسی شد و با استفاده از طیف فوتولومینسانس (PL) و طیف سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS) اثر رسانندگی فوتونی ناشی از پرتو لیزر مورد بررسی قرار گرفت.