تقویت چرخش فارادی تنظیم پذیر با شدت عبور بالا در بلورمگنتوفوتونی شامل نیم رسانای ناهمسانگرد InAs
Publish place: Optoelectronic، Vol: 5، Issue: 2
Publish Year: 1402
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 161
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_PHYS-5-2_009
Index date: 6 December 2023
تقویت چرخش فارادی تنظیم پذیر با شدت عبور بالا در بلورمگنتوفوتونی شامل نیم رسانای ناهمسانگرد InAs abstract
طیف عبوری و چرخش فارادی از ساختار بلور مگنتوفوتونی با آرایش متقارن (AB)m InAs (BA)m با استفاده از روش ماتریس انتقال ۴×۴ بررسی شده است. لایه های B, A مواد دی الکتریک معمولی و InAs نیم رسانای ناهمسانگرد به عنوان لایه ی نقص عمل می کند. در گاف باند فوتونی ساختار، دو مدنقص با چرخش فارادی در همان ناحیه ی فرکانسی مدهای نقص ظاهر می شوند. در این مقاله نشان داده شده که با تغییر پارامترهای ساختاری تعداد تناوب و ضخامت لایه ی نقص امکان طراحی ساختار برای تقویت چرخش فارادی با شدت عبور نسبتا بالا وجود دارد. اثر پارامترهای خارجی، شدت میدان مغناطیسی و زاویه ی موج تابشی در تقویت مقادیر چرخش فارادی و شدت عبوری مطالعه و بهینه شده اند. بیشترین چرخش فارادی با شدت عبور نسبتا بالا حاصل در این کار به مقدار o۲۳/۴۴- در زاویه ی تابشی o۲۰ بدست آمد. نتایج نشان می دهند مکان فرکانسی مدهای نقص در طیف عبوری و چرخش فارادی وابسته به راستای میدان تابشی و ضخامت لایه ی نقص و لی مستقل از تغییرات میدان مغناطیسی و تعداد تناوب ساختارند.
تقویت چرخش فارادی تنظیم پذیر با شدت عبور بالا در بلورمگنتوفوتونی شامل نیم رسانای ناهمسانگرد InAs Keywords:
تقویت چرخش فارادی تنظیم پذیر با شدت عبور بالا در بلورمگنتوفوتونی شامل نیم رسانای ناهمسانگرد InAs authors
فاطمه مسلمی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران
معصومه نعمتی
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران