بررسی اثر نوع هالوژن بر تغییرگاف انرژی در ساختارهای پروسکایتی
Publish place: Optoelectronic، Vol: 1، Issue: 3
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 31
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-1-3_006
تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402
Abstract:
با توجه به اهمیت به کارگیری ساختارهای پروسکایتی در نسل جدید سلول های خورشیدی، مطالعه بر روی خواص الکترونیکی و اپتیکی این ساختارها ضروری به نظر می رسد؛ بنابراین در این مقاله ابتدا ساختار پروسکایتی آلی - معدنی CH۳NH۳PbX۳ با هالوژن های مختلف Cl و Br ،I X= سنتز شده، سپس تاثیر نوع هالوژن در ساختار مذکور بر روی خواص الکترونیکی آنها به طور تجربی مطالعه شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که با تغییر نوع هالوژن، به راحتی گاف انرژی این ساختارها را می توان کنترل کرد. از این رو امید می رود که بتوان از این ساختارها در ادوات الکترونیکی و اپتیکی بهره برد.
Authors
فرهاد ستاری
استادیار، فیزیک – حالت جامد، دانشگاه محقق اردبیلی
صغری میرارشادی
استادیار، فوتونیک، دانشگاه محقق اردبیلی
امیر مسعود شکری
دانشجوی کارشناسی ارشد، فیزیک – حالت جامد، دانشگاه محقق اردبیلی
محمود محمدی ساری درق
دانشجوی کارشناسی ارشد، فیزیک – حالت جامد، دانشگاه محقق اردبیلی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :