مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 798
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_027
Index date: 30 April 2013
مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک abstract
د راین مقاله طراحی ، مدل سازی و امکان پذیر بودن یک سنسورMEMS برر مننراییک ترانزیستور اثر میدانMOSFET( در حالت گیت مشترک بصورت تقویت کننرده تفاضرلی ارائه شده است.یک جفت ترانزیستورMOSFET مجاور , الکترود گیرت مشرترک را بره اشرتراک می گذارد که در پیکربندی پیچشی بر بخش های گیت ترانزیستور , شناور شده است. چر خش این گیت مشترک , فاصله گذاری نسنی بین راس های گیت و لایه فرعی را تغییرر می دهد وظرفیت ازن گیت هر ترانزیستور را هم تغییر می دهد .اتصال هر جفت ترانزیستور در یرک پیکربندی تفاضلی , یک جریان تفاضلی در طول جفت ترانزیسرتورها تولیرد می کند. اینسنسور تقویت کنندگی و ترانس کنداکتور )تقویت مغناطیسی( را به عنوان یک حرکت از گیتMEMS مجتمع سازی می کند و مقاومت ازن گیت مربوطه و جریان درین هر ترانزیستور رامعادل سازی می کند
مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک Keywords:
مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :