مهندسی باند ممنوعه فوتونیکی در کریستالهای فوتونیکی دو بعدی مبتنیبر سری تومورس
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 806
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_101
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
Abstract:
در این مقاله باند ممنوعه فوتونیکی کریستال فوتونیکی دو بعدی مبتنی برساختار تومورس دو بعدی مطالعه شده و اثر عوامل موثر بر تغییرات باند ممنوعه فوتونیکی، از قبیل نسبت شعاع میله ها به ثابت شبکه کریستال، ضرایب شکست مواد دی-الکتریک سازنده میلهها و اختلاف ضریب شکست میلهها با یکدیگر بررسی شده و نتایج حاصل با نتایج بدست آمده برای یک ساختار کریستال فوتونیکی دو بعدی متناوب مقایسه شده است.
Keywords:
Authors
سمیه سراج محمدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر، گروه مهندسی برق، اهر، ایران
حامد علیپوربنایی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبرید، گروه مهندسی برق، تبرید، ایرا
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :