سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

محاسبه نمودار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستور MOSFETدر ابعاد نانو با نیم رسانایInP و لایه اکسایدAl2O3با ضخامت2nm و بررسی اثر تغییر ولتاژ گیت بر خواص فیزیکی و الکتریکی با استفاده ازشبیه سازی مونت کارلو

Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,443

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/193169

Document National Code:

ICNE01_109

Index date: 30 April 2013

محاسبه نمودار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستور MOSFETدر ابعاد نانو با نیم رسانایInP و لایه اکسایدAl2O3با ضخامت2nm و بررسی اثر تغییر ولتاژ گیت بر خواص فیزیکی و الکتریکی با استفاده ازشبیه سازی مونت کارلو abstract

با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، مشخصه جریان ولتاژ درMOSFETبانیم رسانایInPو لایه اکسایدAl2O3با طول گیت50nm وبا توجه به معادله ترابری بولتزمن در دو دمای 300 و400° محاسبه شده و باهم مقایسه شده است. در این شبیه سازی مدل سه دره ای و اثرات غیر سهموی بودن نوار های انرژی و همچنین عوامل پراکندگی لحاظ شده و سرعت سوق و چگالی جریان و انرژی الکترون ها در طول دستگاه در دمای300° برای ولتاژ درین1V و ولتاژ گیت مختلف محاسبه و با یکدیگر مقایسه شده است

محاسبه نمودار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستور MOSFETدر ابعاد نانو با نیم رسانایInP و لایه اکسایدAl2O3با ضخامت2nm و بررسی اثر تغییر ولتاژ گیت بر خواص فیزیکی و الکتریکی با استفاده ازشبیه سازی مونت کارلو Keywords:

محاسبه نمودار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستور MOSFETدر ابعاد نانو با نیم رسانایInP و لایه اکسایدAl2O3با ضخامت2nm و بررسی اثر تغییر ولتاژ گیت بر خواص فیزیکی و الکتریکی با استفاده ازشبیه سازی مونت کارلو authors

امیر اکبری

گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور مشهد،مشهد

هادی عربشاهی

گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور فریمان،فریمان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
د ا نشگ آ ز ا د ا سلامی و ...
ز هر ا اسلامی مقدم، ها د ی عربشا هبی ...
F.BADIEY AN BAGHSIAHI, Moderm Physics Letters B, Vol. 24, ...
_ and KARL HES. _ VoI. 27, No .4, pp.347-357, ...
Hadi Arabshahi , Mahmoud R.Rokn-Abad and Fatemel Badieyan , "emiclassical ...
International Jomal of Science and Technology(20 10), 4(01), 159-1 68 ...
Solid State Physics, Neil W.Ashcroft, N.David Mermin, Cornell ...
_ Jornal of Electricl and Computer En gin eering(IJECE) Vol.1, ...
_ _ Monte Carlo ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "محاسبه نمودار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستور MOSFETدر ابعاد نانو با نیم رسانایInP و لایه اکسایدAl2O3با ضخامت2nm و بررسی اثر تغییر ولتاژ گیت بر خواص فیزیکی و الکتریکی با استفاده ازشبیه سازی مونت کارلو" توسط امیر اکبری، گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور مشهد،مشهد؛ هادی عربشاهی، گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور فریمان،فریمان نوشته شده و در سال 1391 پس از تایید کمیته علمی اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله شبیه سازی، ولتاژ گیت InP هستند. این مقاله در تاریخ 10 اردیبهشت 1392 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1443 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، مشخصه جریان ولتاژ درMOSFETبانیم رسانایInPو لایه اکسایدAl2O3با طول گیت50nm وبا توجه به معادله ترابری بولتزمن در دو دمای 300 و400° محاسبه شده و باهم مقایسه شده است. در این شبیه سازی مدل سه دره ای و اثرات غیر سهموی بودن نوار های انرژی و همچنین عوامل پراکندگی لحاظ شده و سرعت سوق و ... . برای دانلود فایل کامل مقاله محاسبه نمودار مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستور MOSFETدر ابعاد نانو با نیم رسانایInP و لایه اکسایدAl2O3با ضخامت2nm و بررسی اثر تغییر ولتاژ گیت بر خواص فیزیکی و الکتریکی با استفاده ازشبیه سازی مونت کارلو با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.