طراحی یک مبدل افزایندهDC to DC با استفاده ازتکنولوژیMOSFETبا ترانزیستورIRF 740
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 729
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_139
Index date: 30 April 2013
طراحی یک مبدل افزایندهDC to DC با استفاده ازتکنولوژیMOSFETبا ترانزیستورIRF 740 abstract
در این مقاله یک مبدل بوست جدید با بهره ولتاژ بالا ٬ وکلیدزنیZVZCS ارائه شده است. در مبدل پیشنهادی از دو ترانس فلای بک استفاده شده که خروجی آنها با خروجی اصلی مبدل جمع می شود . در نتیجه بهره ولتاژ مبدل افزایش می یابد. از طرفی استفادهاز ساختار دوسلفی موجب می شود که نویز اتصال مد مشترک که یکی از منابع اصلی نویزEMI است ٬ به طور چشمگیری کاهش پیدا کند. همچنین با اعمال یک مدار کمکی به مبدل که فاقد هرگونه سوئیچی می باشد ٬ موجب می شود که سوئیچ مبدل در شرایطZVZCS عمل نماید. از طرفی چون سوئیچ اضافی به مبدل اعمال نگردیده است در نتیجه به هیچ مدار درایو نیازی نمی باشد. بنابراین راندمان مبدل مذکور نسبت به مبدل های مشابه بالا می باشد . بعد از آنالیز مبدل نتایج شبیه سازی برای درستی نتایج تئوری به دست آمده ارائه میشود.
طراحی یک مبدل افزایندهDC to DC با استفاده ازتکنولوژیMOSFETبا ترانزیستورIRF 740 Keywords:
مبدل بوستZVZCS بهره ولتاژ
طراحی یک مبدل افزایندهDC to DC با استفاده ازتکنولوژیMOSFETبا ترانزیستورIRF 740 authors
محمد زمانی سده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :