مطالعه پدیده پراش در یک ساختار دی مالتی پلکسر 4کاناله مبتنی بر کریستالهای فوتونیکی
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 790
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_190
Index date: 30 April 2013
مطالعه پدیده پراش در یک ساختار دی مالتی پلکسر 4کاناله مبتنی بر کریستالهای فوتونیکی abstract
دی مالتی پلکسر 4کاناله براساس کریستال فوتونیک دو بعدی در یک شبکهYشکل قابل اصلاح که مناسب برای مدارات یکپارچه نوری است در این مقاله پیشنهاد میشود و طول موج های خروجی ساختار به وسیله انتخابdefectمناسب در گوشه هر کاواک رزونانسی وموجبرهای خروجی در حدود0651nmجداسازی می شود.پهنای باند هر کانال تقریبا1nmوفاصله کانال های مجاور تقریبا0.48nm و طول موج های دی مالتی پلکسر به ترتیب1565.95,1566.45,1566.8 و1565.35 nm است.مقدار اصلی هم شنوایی 16.25 - و ضریب کیفیت 2259.01 است
مطالعه پدیده پراش در یک ساختار دی مالتی پلکسر 4کاناله مبتنی بر کریستالهای فوتونیکی Keywords:
مطالعه پدیده پراش در یک ساختار دی مالتی پلکسر 4کاناله مبتنی بر کریستالهای فوتونیکی authors
سحر هوراندقدیم
دانشجویی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی
حامد علیپوربنایی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز، گروه مهندسی برق، تبریز