بررسی و تحلیل چند نمونه از ترانزیستور های اثر میدان و تفاوت آنها با ترانزیستورهای دو قطبی
Publish Year: 1402
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 132
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICRSIE08_099
Index date: 6 April 2024
بررسی و تحلیل چند نمونه از ترانزیستور های اثر میدان و تفاوت آنها با ترانزیستورهای دو قطبی abstract
ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه
رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع
N و نوع P می باشد. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال
دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثرمیدانی (FET). دراین مقاله قصد داریم چندین نمونه از ترانزیستور
های اثر میدانی مانند: PS-MOSFET, Floating Gate MOSFET, SOI MOSFET را مورد بررسی
قرار داده و تقاوت این نوع ترانزیستور هارا با ترانزیستورهای دو قطبی بسنجیم، و در نهایت به این
نتیجه خواهیم رسید که کدام یک از ترانزیستور های اثرمیدانی پرکاربرد تراست.
بررسی و تحلیل چند نمونه از ترانزیستور های اثر میدان و تفاوت آنها با ترانزیستورهای دو قطبی Keywords:
بررسی و تحلیل چند نمونه از ترانزیستور های اثر میدان و تفاوت آنها با ترانزیستورهای دو قطبی authors
امیرحسین اخوان
دانشجوی کاردانی الکترونیک ، دانشگاه چمران رشت
مصطفی خشنود
دکتری برق الکترونیک ، دانشگاه چمران رشت