تفریق کننده های تک بیتی تقریبی مبتنی بر تکنیک GDI با راندمان انرژی بالا و مساحت پایین برای پیاده سازی تقسیم کننده ها

در مدارهای دیجیتال با ترانزیستورهای زیاد، انرژی مصرفی بالا همچنان چالش اساسی می باشد. تکنیک های نوظهور مانند محاسبات تقریبی تا حدودی به حل این چالش کمک کرده اند. بر این اساس، سه تفریق کننده جدید تک بیتی بر مبنای محاسبات تقریبی و تکنیک دروازه ورودی انتشار معرفی می شوند. مدارهای پیشنهادی ۱ تا ۳ ضمن جدول درستی متفاوت با دیگر مدارها، به ترتیب ۱۰، ۸، و ۶ ترانزیستور دارند که باعث کاهش قابل توجه توان مصرفی می شود. نتایج شبیه سازی براساس تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (CNTFET) با طول کانال ۳۲ نانومتری، برتری این مدارها را تایید می کند. مدار پیشنهادی ۳ بدون استفاده از اینورتر، دارای بهترین عملکرد از نظر مداری می باشد. هر چند به دلیل وجود ۴ خطا در این مدار، نرخ خطای آن در مقایسه با دیگر مدارها بیشتر می باشد. بررسی اثرات تغییرات در منبع ولتاژ، fan-out و تغییرات فرایند-ولتاژ-دما گویای برتری مدار پیشنهادی ۳ از نظر انرژی تلفاتی می باشد. هم چنین، با تعبیه مدارهای پیشنهادی در ساختار تقسیم کننده ۸ بیتی، برتری مدار پیشنهادی ۳ از نظر معیارهای شایستگی مختلف به مقدار حداقل ۵۰% قابل مشاهده است.

Keywords:

تفریق کننده , تقسیم کننده , محاسبات تقریبی , نانو لوله کربنی