پیشرفت ها و چالش های ترانزیستورهای MOSFET از جنس کاربید سیلیسیوم
Publish place: The ninth international Conference on Knowledge and Technology of Mechanical, Electrical Engineering and Computer Of Iran
Publish Year: 1402
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 172
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
DMECONF09_110
Index date: 1 May 2024
پیشرفت ها و چالش های ترانزیستورهای MOSFET از جنس کاربید سیلیسیوم abstract
ترانزیستورهای MOSFET از جنس کاربید سیلیسیوم (SiC) به دلیل خواص برتر الکتریکی و فیزیکی اینماده، در بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت با ولتاژ، فرکانس و توان بالا مورد توجه قرار گرفته اند. اینترانزیستورها می توانند باعث افزایش بازده، کاهش اندازه و کاهش هزینه مدارهای تبدیل قدرت شوند. اما،این ترانزیستورها همچنان با چالش هایی در زمینه های مختلف مواجه هستند که مانع از گسترش کاربردآنها در بازار شده اند. این چالش ها شامل مسائل مربوط به فرآیند تولید، پایداری و قابلیت اطمینان، رفتار درشرایط سخت و انطباق با مدارهای موجود است. در این مقاله، ما قصد داریم که یک مرور جامع بر رویپیشرفت ها و چالش های ترانزیستورهای SiC MOSFET ارائه دهیم و راهکارهایی برای بهبود عملکرد وکاربرد آنها پیشنهاد کنیم .
پیشرفت ها و چالش های ترانزیستورهای MOSFET از جنس کاربید سیلیسیوم Keywords:
پیشرفت ها و چالش های ترانزیستورهای MOSFET از جنس کاربید سیلیسیوم authors
حامد حامدی
دانشجوی کارشناسی ارشد ، افزارهای میکروونانو الکترونیک، دانشگاه جامع امام حسین (ع)
سید محمد علوی
دانشیار دانشکده برق دانشگاه جامع امام حسین (ع)
