خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC۲ در حضور گاز استالدهید: امکان سنجی کاربرد به عنوان حسگر گاز
Publish place: Chemical Research and Nanomaterials، Vol: 1، Issue: 4
Publish Year: 1402
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 136
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_JCM-1-4_003
Index date: 1 June 2024
خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC۲ در حضور گاز استالدهید: امکان سنجی کاربرد به عنوان حسگر گاز abstract
در مقاله پیش رو، به بررسی تاثیر جذب مولکول استالدهید بر خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC۲ با استفاده از نظریه تابعی چگالی پرداخته شده است. به این منظور، پیکربندی های مختلف جذب مولکول بر روی تک لایه مورد بررسی قرار گرفته و پایدارترین ساختار براساس انرژی جذب گزارش شده است. نتایج نشان داد که مولکول استالدهید به صورت فیزیکی با انرژی در حدود ۳۱۰/۰ الکترون ولت بررویSiC۲ جذب می شود. مقایسه ساختار نواری و چگالی حالاتSiC۲ قبل و بعد از جذب مولکول استالدهید نشان داد که گاف انرژی و فاصله تراز فرمی تا نوار هدایت پس از جذب استالدهید به ترتیب ۰/۰۰۸ و ۰/۰۰۶ الکترون ولت افزایش می یابد که می تواند موجب کاهش هدایت الکتریکی تک لایه گردد. بر اساس محاسبات انجام شده از تک لایهSiC۲ می توان به عنوان حسگر گاز استالدهید براساس تغییر هدایت، تغییر گرمای واکنش یا به عنوان سطح جاذب در حسگرهای گاز پیزوالکتریک بهره برد.
خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC۲ در حضور گاز استالدهید: امکان سنجی کاربرد به عنوان حسگر گاز Keywords:
خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC۲ در حضور گاز استالدهید: امکان سنجی کاربرد به عنوان حسگر گاز authors
خلیل صیدالی جوانمردی
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
زهرا کرمی هرستانی
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
