بررسی تاثیر نانوکامپوزیت های بیومغناطیسی بر درمان شکستگی استخوان
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
Index date: 27 June 2024
بررسی تاثیر نانوکامپوزیت های بیومغناطیسی بر درمان شکستگی استخوان abstract
شکستگی استخوان یکی از آسیب های شایع است که سبب اختلال در ساختار استخوان میشود. اخیرا، استفاده از هایپرترمی مغناطیسی (MH) به عنوان یک تکنیک موثر و جدید برای درمان مورد توجه قرار گرفته است. در روش درمانی MHT نانوذرات مغناطیسی در پروتز داربستی بارگذاری می شوند. سپس با اعمال میدان مغناطیسی، گرمای موضعی در بافت ایجاد می شود . گرمای موضعی به درمان سرعت میبخشد. بیشتر وزن استخوان از هیدروکسی آپاتیت(Hap) تشکیل شده است که استفاده از آن در پروتز های درمانی و داربستی که در محل شکستگی قرار دارد، به دلیل بهبود سریعتر و موثرتر، از روش های نوآورانه بهبود شکستگی استخوان است. اخیرا، استفاده از نانوذرات مغناطیسی Fe۳O۴ (MNPs) به دلیل خواص سوپر پارامغناطیس و زیست سازگاری آن ها به شدت مورد بررسی قرار گرفته است. حضور نانوذرات Fe۳O۴ در محل شکستگی و اعمال میدان مغناطیسی، سبب افزایش زنده مانی سلول های استخوانی و تقویت ترشح فاکتورهای رشد میشود. نانوذرات SiO۲دارای خواص برجسته ای هستند که آنها را تبدیل به یک کاندید موفق در درمان شکستگی استخوان کرده است.از خواص آن ها میتوان به تقویت خواص فیزیکی، افزایش سرعت ترمیم، سازگاری بالا با سلول های بیولوژیکی و کاهش التهاب اشاره کرد. در این تحقیق مخلوط HAp با SiO۲ با استفاده از همزن مکانیکی در آب دیونیزه مخلوط شده و برای آماده سازی هیدروترمال در دمای ۲۳۰ درجه سانتیگراد در اتوکلاو قرار داده شد. رسوب فیلتر شده و قبل از خشک شدن در دمای ۱۱۰ درجه سانتیگراد به مدت دو ساعت با آب دیونیزه شسته شد.سپس محلول را به محلول Fe۳O۴ به صورت قطره قطره اضافه کرده و پس از جدا کردن پودر از محلول، درون کوره قرار داده شد. هدف این مقاله تهیه مواد بیوسرامیک نانومغناطیسی HAp-SiO۲-Fe۳O۴مناسب برای بارگذاری در پروتز داربستی درمان شکستگی استخوان به روش هایپرترمیای مغناطیسی است.
بررسی تاثیر نانوکامپوزیت های بیومغناطیسی بر درمان شکستگی استخوان Keywords:
بررسی تاثیر نانوکامپوزیت های بیومغناطیسی بر درمان شکستگی استخوان authors
دانش آموزان پایه دهم دبیرستان فرزانگان ۴
دانش آموزان پایه دهم دبیرستان فرزانگان ۴
دکتری شیمی فیزیک