بررسی عملکرد نانو ترانزیستورهای فوق سریعHEMT به عنوان شناساگر و گسیلنده ی امواج تراهرتز
Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 975
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
AIHE06_186
Index date: 22 July 2013
بررسی عملکرد نانو ترانزیستورهای فوق سریعHEMT به عنوان شناساگر و گسیلنده ی امواج تراهرتز abstract
در این مقاله به بررسی چگونگی شناسایی (Detect) و گسیل (Emission) امواج تراهرتز بوسیله ی ترانزیستور اثر میدان با تحرک الکترونی بالا (HEMT) می پردازیم. کانال ترانزیستور HEMT می تواند مانند یک کاواک (گودال) تشدید برای امواج پلاسما عمل کرده که برای ادوات نانومتری فرکانس تشدید می تواند به محدود ه ی تراهرتز ((300G-3TH(z) برسد. ما نشان می دهیم که مقدار تشدید پلاسما بوسیل هی ولتاژ گیت ترانزیستور قابل تنظیم است. پاسخ ترانزیستور با افزایش شدت موج نوری (موج تراهرتز) تابیده شده به کانال قطعه افزایش می یابد. به علاوه شبیه سازی ها نشان می دهد که با کاهش مناسب طول گیت ترانزیستور پاسخ قطعه بهبود می یابد. همچنین طول ناحیه ی بیرون از گیت (Ungated Region) در مقدار پاسخ تأثیر گذار است. برای ایجاد نوسان پایدار در کانال شرایط مرزی مناسب ضروری به نظر می رسد.
بررسی عملکرد نانو ترانزیستورهای فوق سریعHEMT به عنوان شناساگر و گسیلنده ی امواج تراهرتز authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :