سیلی گرافن های g-SiC و g-SiC۲ به عنوان حسگر چندوجهی گاز H۲S

Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 22

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-23-4_015

تاریخ نمایه سازی: 3 مهر 1403

Abstract:

هدف اصلی این مقاله بررسی توانایی صفحات سیلی گرافن g-SiC و g-SiC۲ در آشکارسازی گاز سولفید هیدروژن از طریق سازوکار های مختلف حسگری با استفاده از نظریه تابعی چگالی است. نتایج محاسبات ما نشان می دهد که فرایند جذب گاز روی هر دو صفحه سیلی گرافن فیزیکی و گرماده است. فرایند جذب فیزیکی باعث می­شود که مواد حسگر بتوانند در زمان کوتاهی (حدود چند نانوثانیه) پس از دفع گاز در دمای اتاق بازیابی شوند. بررسی خصوصیات هندسی و الکترونی ترکیب صفحات g-SiC و g-SiC۲ با مولکول گاز آشکار می سازد که هر دو ماده قابلیت آشکارسازی گاز از طریق سازوکار های حرارتی و مقاومتی را دارند. برای مثال، هدایت الکتریکی صفحه g-SiC پس از جذب گاز ۳۸% تغییر می­کند. به علاوه، حضور مولکول گاز روی صفحه g-SiC نوع حامل­های اکثریت آن را تغییر داده و استفاده از این ماده را در ساخت حسگرهای مبتنی بر اثر سیبک ممکن می­سازد. در مجموع، سازوکار های حسگری متنوع به همراه زمان بازیابی اندک، صفحات سیلی گرافن g-SiC و g-SiC۲  را به نامزد مناسبی برای استفاده در ساخت حسگر گاز سولفید هیدروژن به عنوان ماده حسگر مبدل می­سازد.

Keywords:

سیلی گرافن های g-SiC و g-SiC۲ , حسگر H۲S , اثر سیبک , نظریه تابعی چگالی

Authors

حامد مهدوی نژاد

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شیراز، شیراز

رزا صفایی اسدآبادی

دانشکده فناوری های نوین، دانشگاه شیراز، شیراز

محمدحسین شیخی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شیراز، شیراز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • A Afsari and M J Sarraf, Superlattices and Microstructures ۱۳۸ ...
  • J R Kumar, et al., Sensors and Actuators B: Chemical ...
  • D Raval, S K Gupta, and P N Gajjar, Scientific ...
  • G Huang, et al., Journal of Physics D: Applied Physics ...
  • W Rumbeiha, E Whitley, P Anantharam, D Kim, and A ...
  • J Sarfraz, D Tobjork, R Osterbacka, and M Linden, IEEE ...
  • R Srivastava, H Suman, S Shrivastava, and A Srivastava, Chemical ...
  • H Dong, L Wang, L Zhou, T Hou, and Y ...
  • R Safaiee, M M Golshan, and M. Khalifeh, Journal of ...
  • C Wang, Y Wang, Z Yang, and N Hu, Ceramics ...
  • A Salmankhani, et al., Journal of Carbon Research ۶ (۲۰۲۰) ...
  • R Bogue, Sensor Review ۳۴ (۲۰۱۴) ۱ ...
  • M M Kadhim, et al.,Computational and Theoretical Chemistry ۱۲۲۰ (۲۰۲۳) ...
  • S A Wella, M Syaputra, T D K. Wungu, and ...
  • J Prasongkit, R G Amorim, S Chakraborty, R Ahuja, R ...
  • L J Zhou, Y F Zhang, and L M Wu, ...
  • D T Nguyen and M Q Le, Superlattices and Microstructures ...
  • S S Dindorkar and A Yadav, Silicon (۲۰۲۲) ۱ ...
  • P Giannozzi, et al., Journal of physics: Condensed matter ۲۱ ...
  • J P Perdew, K Burke, and M Ernzerhof, Physical Review ...
  • S Grimme, Journal of computational chemistry ۲۷ (۲۰۰۶) ۱۷۸۷ ...
  • Z Zhao, Y Yong, Q Zhou, Y Kuang, and X ...
  • N Delavari and M Jafari, Solid State Communications ۲۷۵ (۲۰۱۸) ...
  • H Shu, Applied Surface Science ۵۵۹ (۲۰۲۱) ۱۴۹۹۵۶ ...
  • Y Zhao, J Zhao, and Q Cai, Applied Surface Science ...
  • W Li, et al., Applied Surface Science ۵۰۹ (۲۰۲۰) ۱۴۵۱۹۳ ...
  • M F Saadi, R Safaiee,and M M Golshan, Applied Surface ...
  • S M Sze, and M K Lee, “Semiconductor Devices Physics ...
  • S Nasresfahani, R Safaiee, and M H Sheikhi, Journal of ...
  • K S Chan, and T J E Dwight, Results in ...
  • I Torres, S Mehdi Aghaei, A Rabiei Baboukani, C Wang, ...
  • H Cui, G Zhang, X Zhang, and J Tang, Nanoscale ...
  • نمایش کامل مراجع