طراحی سلول SRAM جدید با استفاده از روش بایاس بدنه برای کاربردهای توان-کم و سرعت-بالا
Publish place: 21th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 626
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE21_526
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392
Abstract:
در این مقاله ، یک سلولSRAMجدید معرفی شده است که از طریق یک مدار کنترل و خط کلمه ، بایاس-بدنه آن به صورت فعال کنترل می شود تا عملکرد توان-پایین و سرعت-بالا را تحقق دهد. سلول از دو خط کلمه که در دو سطح ولتاژ مثبت و منفی تغییر می کنند برایکنترل بایاس-بدنه استفاده می کند. در این طرح به کمک یک مدار کنترل جانبی و با اضافه کردن کمترین ترانزیستور ممکن ، سرعت دسترسیکاهش پیدا کرده است و موازنه ای بین مصرف توان استاتیک و مصرف توان دینامیک بر قرار شده است. مدار پیشنهاد شده ، در بهترین شرایط %82 توان استاتیک را کاهش می دهد و سرعت خواندن را 40 % و سرعت نوشتن را 27 % بهبود می دهد
Keywords:
Authors
رسول فرجی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان