اثر میدان مغناطیسی بسیار کم فرکانس به همراه اوستین بر تکثیر سلول های اندوتلیال ورید بند ناف انسانی

بررسی عوامل موثر بر تکثیر سلول های اندوتلیال یک بخش اساسی در مطالعات رگزایی است. نظر به اهمیت مهار رگزایی در درمان سرطان ها و به دلیل عوارض جانبی و هزینه سنگین داروهای ضد رگزایی مثل اوستین، کاربرد عوامل فیزیکی که در درمان کمک کنند و نیاز به دوزهای بالای دارو را کاهش دهند، شایسته توجه است. میدان های مغناطیسی به دلیل اثرگذاری از فاصله دور و غیرتهاجمی بودن، مورد توجه هستند و مطالعات زیادی در مورد اثرات آنها روی پدیده های زیستی از جمله رگزایی انجام شده است که نتایج انها ناهمگون بوده است. در مطالعه حاضر اثر میدان مغناطیسی متناوب ۲ میلی تسلا با فرکانس ۲۰۰ هرتز به همراه اوستین روی تکثیر سلول های اندوتلیال ورید بند ناف انسانی (HUVEC) بررسی شده است. سلول ها به مدت ۴۸ ساعت تحت تاثیر مخلوط محلول غلظت ۵۰ میکروگرم در میلی لیتر فاکتور رشد اندوتلیال عروقی(VEGEF) و اواستین در غلظت های ( صفر(کنترل دارو)، ۵۰، ۱۰۰، ۲۰۰ و ۴۰۰ میکروگرم در میلی لیتر) و همچنین گروه های تیمار میدان به مدت زمان های ۳، ۶، ۱۲، ۲۴ و ۴۸ ساعت در معرض میدان مغناطیسی قرار گرفتند. سپس بررسی تکثیر سلول ها با استفاده از تست رنگ سنجی آلامار بلو انجام شد. داده ها با آنالیز واریانس سه عاملی تحلیل گردید. بر اساس یافته ها، زمان های مواجهه ۱۲، ۲۴ و ۴۸ ساعت، کاهش معنی داری در تکثیر سلول ها در مقایسه با گروه کنترل ایجاد کردند اما در تیمارهای ۳ و ۶ ساعت این تفاوت معنی دار نبود. همچنین میزان اثرات تداخلی عوامل مذکور با یکدیگر بر تکثیر HUVEC، مورد بررسی قرار گرفت.

اثر میدان مغناطیسی بسیار کم فرکانس به همراه اوستین بر تکثیر سلول های اندوتلیال ورید بند ناف انسانی Keywords:

Magnetic Fields , Angiogenesis , Avastin , Vascular Endothelial Growth Factor , Human Umbilical Vein Endithelial Cells , میدان مغناطیسی , رگزایی , اوستین , فاکتور رشد اندوتلیال عروقی , سلول اندوتلیال ورید بند ناف انسانی(HUVEC)