بررسی کاربردهای طیف سنجی جرمی یون ثانویه ((SIMS در تحلیل سطح نانومواد: روشها، مزایا و چالش ها
Publish Year: 1403
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 177
This Paper With 17 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IMES18_200
Index date: 1 January 2025
بررسی کاربردهای طیف سنجی جرمی یون ثانویه ((SIMS در تحلیل سطح نانومواد: روشها، مزایا و چالش ها abstract
طیف سنجی جرمی یون ثانویه (SIMS) یکی از قدرتمندترین تکنیک های آنالیز سطحی است که برای بررسی ترکیب شیمیایی و ساختار سطوح جامد و لایه های نانو استفاده می شود. SIMS به دلیل حساسیت سطحی بالا، وضوح جانبی عالی و قابلیت تجزیه و تحلیل عمقی ، ابزار بسیار مفیدی برای آنالیز ذرات محیطی است . این تکنیک قادر به شناسایی و تعیین مقدار عناصر و ترکیبات مولکولی در سطح با دقت بسیار بالاست . نقش حیاتی خواص سطح در تعیین رفتار و کاربرد نانومواد، آنالیز سطحی را به یک ضرورت برای مطالعه ، توسعه و کاربرد نانومواد تبدیل کرده است . مقاله حاضر به بررسی اصول کار، انواع روشهای SIMS و کاربردهای آن در تجزیه و تحلیل سطح نانومواد می پردازد.
بررسی کاربردهای طیف سنجی جرمی یون ثانویه ((SIMS در تحلیل سطح نانومواد: روشها، مزایا و چالش ها Keywords:
بررسی کاربردهای طیف سنجی جرمی یون ثانویه ((SIMS در تحلیل سطح نانومواد: روشها، مزایا و چالش ها authors
حمیده برغمدی
استادیار و دکتری مهندسی پزشکی و دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
الناز مومنی نسب
دانشجو کارشناسی ارشد مهندسی پزشکی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
