ارائه یک مدل رانش- نفوذ برای محاسبه جریان تاریک آشکارساز نوری PIN

Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,112

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

AIHE06_301

تاریخ نمایه سازی: 31 تیر 1392

Abstract:

در این مقاله، جریان تاریک آشکارساز نوریPIN را با استفاده از یک مدل رانش- نفوذ شبیه سازی می کنیم. مدل ارائه شده به ازای ولتاژ بایاس های کم تطابق خوبی با روابط تقریبی و تحلیلی دارد اما به دلیل پوشش ندادن پدیده یونیزاسیون برخوردی به ازای ولتاژهای بایاس قوی خطای قابل توجهی دارد. برای شبیه سازی ماده GaAs را انتخاب می کنیم و از روش گامل برای حل دسته معادلات پیوستگی غلظت حامل، جریان حامل و پواسون کمک می گیریم. نتایج بدست آمده از مدل ارائه شده را با روابط تقریبی مقایسه می کنیم تا درستی کارکرد آن را ارزیابی کنیم..

Authors

فاطمه روستایی

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه شهید چمران اهواز

محمد سروش

عضو هیات علمی گروه مهندسی برق دانشگاه شهید چمران اهواز

فاطمه حدادان

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Kwok K. Ng ;"Complete Guide _ Semiconductor Devices, Academic Press"; ...
  • X. D. Wang , W. D. Hu , X. S. ...
  • M. Soroosh, A. Zarifkar, M. Razaghi, and M. K. Moravvej ...
  • M. N. O. Sadiku ;"Monte Carlo methods for elec tromagnetic ...
  • D. L. Scharfetter and D. L. Gummel; "Large signal analysis ...
  • http:/ecee .colorado .e du/-bart/b ook/bo o k/c hapter4/ch4_3 , ...
  • نمایش کامل مراجع