بررسی و شبیه سازی اثر پیزورزیستیو در نانوسیمهای سیلیکونی برای استفاده در ادوات MEMS
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 910
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE05_060
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
Abstract:
کاربردهای بسیارزیادی ازسنسورهای فشارMEMS درصنایع مختلف وجود دارد این سنسورها براساس روش اندازه گیری پیزورزیستیو یاخازنی می باشند درسنسورهای نوع پیزورزیستیو اعمال فشار باعث تغییرمقاومت المان پیزورزیستیو و درنوع خازنی باعث تغییر ظرفیت المان خازنی می شود سنسورهای پیزورزیستیو درمقایسه با سنسورهای خازنی پایین بودن حساسیت درمقالاتی که اخیرا منتشر شده است به بالا بودن اثرپیزورزیستیو درنانوسیمهای سیلیکونی اشاره شدها ست دراین مقاله اثرپیزورزیستیو درسیلیکون بالک و نانوسیم سیلیکونی و مقایسه آنها باهم مورد بررسی قرارمیگیرد با شبیه سازی سیلیکون بالک و نانوسیم سیلیکونی درنرم افزار COMSOL بصورت ویژه نشان داده میشود که این اثردریک نانوسیم به طول 10μm و سطح مقطع 250×250nm بیش از19 برابر آن درسیلیکون بالک است که نشان میدهد استفاده ازنانوسیم ها درسنسورهای پیزورزیستیو بطور چشمگیری حساسیت آنها را افزایش میدهد
Authors
علی شاکرمی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
احمد عفیفی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :