طراحی میکسر مبتنی بر سلول گیلبرت گیت مشترک با خطسانی زیاد با استفاده از تکنولوژی81.8 میکرومتر CMOS در باند فرکانسی 2.4 گیگاهرتز

Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,672

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE05_092

تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392

Abstract:

دراین مقاله یک میسکرمبتنی برسللو گیلبرت گیت مشترک پایین آورنده کم ولتاژ وکم مصرف با خطسانی زیاد با تکنولوژی TSMC 0.18-μm طراحی و ارایه شده است این میکسر درباندفرکانسی 2.4 گیگاهرتز با فرکانس اسیلاتور محلی 2.1 گیگاهرتز و فرکانس میانی 300 مگاهرتز کار میکند دراین میسکر ازروش گیت های متعددبرای افزایش خطسانی میکسر مبتنی برسلول گیلبرت گیت مشترک استفاده شده است نتایج شبیه سازی بانرم افزار Hspice نشان میدهد که IP3 بعدازبهینه سازی میکسر بیشتر از16dBm بهبود پیدا کرده است میکسرپیشنهادی باولتاژ تغذیه 1.8 ولت طراحی شده و توان مصرفی درحدود 4.32mW دارد مشخصه نویز و بهره تبدیل برای میکسر طراحی شده به ترتیب برابر 12.87dB و 2dB است

Authors

احسان مراد

آموزشکده فنی و حرفه ای سما،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهواز

احسان رسولی

دانشگاه صنعتی امیرکبیر تهران

نفیسه هوشیار

دانشگاه صنعتی امیرکبیر تهران

الناز پوربافرانی

دانشگاه صنعتی امیرکبیر تهران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Razavi. B, "RF Micro Electronics", Prentice Hall, 1998 ...
  • Tanaka. S, Behbahani. F, Abidi. A, _ Linearization Technique For ...
  • Darabi. H, Abidi. A, "Noise in Rf-Cmos Mixers:A Simple Solid-State ...
  • Physical Model", IEEE Journal of Circuits.vol.35, no.1 .pp.15-25, jan, 2000 ...
  • Wei. H. CH, Weng. R. M, Hsiao. CH. L, Lin. ...
  • Chandra. V, "A 2.5V High Linearity CMOS Mixer for 1.9GHZ ...
  • Douss. S, Touati. F, Loulou. M, :A 3.1-4.8 GHZ Cmos ...
  • Heidari. R, Haddadian. S, _ Low Voltage High linearity CMOS ...
  • Alam. S. K, Degroat. J, :A 2GHZ Highly Linear Down ...
  • Kim. T, Kim. B, Lee. K, "Highly linear Receiver front-end ...
  • Kim. B, KO. _ Lee. K, _ Linearization Technique For ...
  • Superposition Method For Linearizing FET-Low Noise Amplifiers", IEEE Transactions _ ...
  • Yoon. J, Kim. H, Park. CH, Yang. j, Song. H, ...
  • Jin. L, _ Low Noise High Linearity CMOS Up Conversion ...
  • Parvizi. M, Nabavi. A, _ Power Highly Linear uwb Cmos ...
  • نمایش کامل مراجع