آخرین پیشرفتها در فناوری کاشت یون در سیلیکون کاربید و گالیوم نیترید
Publish place: The fifth international conference on electronic, electrical and computer engineering
Publish Year: 1403
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 61
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
EEEC05_021
Index date: 24 March 2025
آخرین پیشرفتها در فناوری کاشت یون در سیلیکون کاربید و گالیوم نیترید abstract
کاشت یون به عنوان یکی از تکنیکهای حیاتی در اصلاح و بهبود خواص مواد نیمه رسانا شناخته شده و نقش بسزایی در فناوری های مدرن دارد. این تکنولوژی در سالهای اخیر با پیشرفت های چشمگیری همراه بوده و بهبود های قابل توجهی در زمینه های مختلف ایجاد کرده است. از جمله این زمینه ها می توان به شتابدهی خطی رادیوفرکانسی (RF)، دوپینگ کاشت یون در مواد مختلف نظیر سیلیکون کاربید (SiC) و نیترید گالیوم (GaN)، و استفاده از کاشت یون در فناوری های پیشرفته اشاره کرد. تکنولوژی شتابدهی خطی RF امکان شتابدهی دقیق و موثر یون ها را فراهم می آورد و با کاهش زمان فرآیند، بهبود عملکرد و کارایی مواد نیمه رسانا کمک می کند. این روش از میدان الکتریکی وابسته به زمان برای شتابدهی ذرات بهره می برد و با افزایش سرعت ذرات، طول سلول های شتاب دهنده نیز به طور متناسب افزایش می یابد. این اصل به ایجاد تمرکز قوی یکنواخت فضایی در شتابدهنده های چهارقطبی رادیوفرکانسی (RFQ) کمک می کند.
آخرین پیشرفتها در فناوری کاشت یون در سیلیکون کاربید و گالیوم نیترید Keywords:
کاشت یون , سیلیکون کاربید , گالیوم نیترید , شتابدهنده خطی RF , دوپینگ نیمه رسانا , شتابدهنده چند پرتو (MEQALAC) , چهارقطبی رادیوفرکانسی , RFQ , بازپخت حرارتی , تمرکز قوی یکنواخت فضایی
آخرین پیشرفتها در فناوری کاشت یون در سیلیکون کاربید و گالیوم نیترید authors
سید محمد علوی
دانشیار گروه الکترونیک دانشکده برق دانشگاه جامع امام حسین
علی یعقوبی نیاری
دانشجوی ارشد گروه الکترونیک دانشکده برق دانشگاه امام حسین
