کاشت یون در نیمه رساناها: تاریخچه، فرایند، اثرات، کاربردها، چالش ها
Publish place: The fifth international conference on electronic, electrical and computer engineering
Publish Year: 1403
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 50
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
EEEC05_025
Index date: 24 March 2025
کاشت یون در نیمه رساناها: تاریخچه، فرایند، اثرات، کاربردها، چالش ها abstract
کاشت یون یکی از تکنیک های اصلی در فناوری ساخت نیمه رساناها است که به وسیله آن می توان ویژگی های الکتریکی و ساختاری مواد نیمه رسانا را به دقت کنترل کرد. این فرآیند در تولید دستگاه های الکترونیکی پیشرفته نظیر ترانزیستورها، دیودها، و مدارهای مجتمع CMOS بسیار حیاتی است. در این مقاله به تحلیل جامع کاشت یون پرداخته شده است، ابتدا به تاریخچه و پیشرفت های این فناوری اشاره می شود، سپس فرآیندها، روش ها و تجهیزات مورد استفاده در کاشت یون توضیح داده شده و در نهایت، اثرات، آسیب ها، و چالش های مربوط به این فناوری بررسی می شوند. این مقاله شامل فرمول ها و روابط ریاضی در برخی بخش ها نیز خواهد بود تا درک بهتری از فرآیند کاشت یون و نحوه کنترل آن ارائه شود. اخیرترین پیشرفت ها در صنعت کاشت یون شامل استفاده از دوپینگ کاشت یون برای کاهش ناخالصی ها و افزایش کارایی مواد مانند سیلیکون کربید (SiC) و نیترید گالیم (GaN)، شتابدهی خطی رادیوفرکانسی (RF) برای بهبود کنترل و دقت کاشت یون، و کاربرد کاشت یون در ساخت آیسی های پیشرفته است. این پیشرفت ها به بهبود کارایی و کنترل دقت در فرآیندهای کاشت یون کمک کرده اند.
کاشت یون در نیمه رساناها: تاریخچه، فرایند، اثرات، کاربردها، چالش ها Keywords:
کاشت یون در نیمه رساناها: تاریخچه، فرایند، اثرات، کاربردها، چالش ها authors
سید محمد علوی
دانشیار گروه الکترونیک دانشکده برق دانشگاه جامع امام حسین(ع)
علی یعقوبی نیاری
دانشجوی ارشد گروه الکترونیک دانشکده برق دانشگاه جامع امام حسین(ع)
