سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

تاثیر دما و ناخالصی بر ویژگی های اپتوالکترونیکی PEDOT:PSS به عنوان لایه تزریق کننده حفره

Publish place: 3nd National Conference on Optic and Laser Engineering (ICOLE2013)
Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 896

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/223898

Document National Code:

NCOLE03_194

Index date: 19 December 2013

تاثیر دما و ناخالصی بر ویژگی های اپتوالکترونیکی PEDOT:PSS به عنوان لایه تزریق کننده حفره abstract

در این تحقیق راهکارهای مختلف به منظور افزایش رسانایی لابه پلیمری PEDOT:PSS بعنوان لایه تزریق کننده حفره در دیود نور گسیل آلی مورد بررسی قرار گرفته است. اضافه کردن گلیسیرین خالص به محلول PEDOT:PSS و حرارت دادن محلول می تواند مقاومت الکتریکی این لایه را به طور چشمگیری کاهش دهد. ویژگیهای اپتوالکترونیکی لایه شامل مقاومت الکتریکی سطحی، منحنی بازتاب و جذب برای محلول های حرارت داده شده و آمیخته شده با گلیسیرسن بررسی شد.

تاثیر دما و ناخالصی بر ویژگی های اپتوالکترونیکی PEDOT:PSS به عنوان لایه تزریق کننده حفره Keywords:

دیود نور گسیل آلی , رسانایی , PEDOT:PSS

تاثیر دما و ناخالصی بر ویژگی های اپتوالکترونیکی PEDOT:PSS به عنوان لایه تزریق کننده حفره authors

محسن کشاورزی

گروه اتمی مولکولی، دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر، کرمان

محمد حسن یوسفی

گروه تحقیقاتی نانو فناوری ، دانشگاه مالک اشتر، شاهین شهر

علیرضا بهرام پور

گروه اتمی مولکولی، دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر، کرمان

مجید تراز

گروه اتمی مولکولی، دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر، کرمان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Nardes, Alexandre Mantovani, On the conductivity of PEDOT:PSS thin films, ...
Jianyong Ouyang, On the mechanism of conductivity enhancement in poly(3 ...
Kao-Hua Tsai, Improving the conductivity of hole injection layer by ...
Henry J. S naith , Morphological and electronik consequence of ...
A. J. Makinen, Hole injection energetics at highly conducting polymer ...
Zurianti A. Rahman, PEDOT:PSS Thin Film as Transparent Electrode in ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "تاثیر دما و ناخالصی بر ویژگی های اپتوالکترونیکی PEDOT:PSS به عنوان لایه تزریق کننده حفره" توسط محسن کشاورزی، گروه اتمی مولکولی، دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر، کرمان؛ محمد حسن یوسفی، گروه تحقیقاتی نانو فناوری ، دانشگاه مالک اشتر، شاهین شهر؛ علیرضا بهرام پور، گروه اتمی مولکولی، دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر، کرمان؛ مجید تراز، گروه اتمی مولکولی، دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر، کرمان نوشته شده و در سال 1392 پس از تایید کمیته علمی سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله دیود نور گسیل آلی، رسانایی، PEDOT:PSS هستند. این مقاله در تاریخ 28 آذر 1392 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 896 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این تحقیق راهکارهای مختلف به منظور افزایش رسانایی لابه پلیمری PEDOT:PSS بعنوان لایه تزریق کننده حفره در دیود نور گسیل آلی مورد بررسی قرار گرفته است. اضافه کردن گلیسیرین خالص به محلول PEDOT:PSS و حرارت دادن محلول می تواند مقاومت الکتریکی این لایه را به طور چشمگیری کاهش دهد. ویژگیهای اپتوالکترونیکی لایه شامل مقاومت الکتریکی سطحی، منحنی بازتاب و ... . برای دانلود فایل کامل مقاله تاثیر دما و ناخالصی بر ویژگی های اپتوالکترونیکی PEDOT:PSS به عنوان لایه تزریق کننده حفره با 3 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.