بررسی تاثیر پارامترهای ساختاری بر مشخصههای الکتریکی افزارههای نانومتری DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه
Publish place: Iranian Physics Conference 1386
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,280
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_094
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
Abstract:
در این مقاله به بررسی اثرات تغییر پارامترهای ساختاری بر روی مشخصههای الکتریکی افزاره نانومتری ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق DG-SOI MOSFETs در ناحیه زیر آستانه پرداخته شده است . شبیه سازیهای انجام شده نشان میدهند که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایش خازن موثر گیت (CG,eff) میشود، در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره (ION) کاهش می یابد . با کاهش طول نواحی سورس و درین (LD/LS) ، خازنهای لبهای(CFringe) کوچک می گردند و در نتیجه CG,eff کاهش می یابد، این در حالی است که مشخصه جریان - ولتاژ و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر چندانی نمی کنند
Authors
مرتضی فتحی پور
دانشیار دانشگاه تهران
حامد نعمتیان
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر ، تهران
فاطمه کهنی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر ، تهران