XPSساخت و بررسی خواص نانواکسید سیلیکون توسط
Publish place: Iranian Physics Conference 1386
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,452
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_258
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
Abstract:
ضخامت اکسید سیلیکون در ترانزیستورهای CMOS فعلی حدود 1 /2 نانومتر است و عواملی باعث محدود شدن کارایی اکسید فوق نازک سیلیکون در تولیدات آتی CMOS می شود . اما تاکنون هیچ عایق دی الکتریک دیگری نتوانست در عمل جایگزین خوبی برای اکسید سیلیکون باشد . بنابراین همچنان نیاز به رشد اکسید سیلیکون فوق نازک حدود 1 nm و نازکتر می باشد . لذا در اینجا به رشد اکسید سیلیکون درشرایط فوق خلاء پرداختیم وتوانستیم اکسید سیلیکون فوق نازکی بر زیر لایه ی سیلیکون رشد دهیم که یک رشد خود - محدودکننده ای را نشان داده است
Authors
فرشید مفیدنخعی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
ماندانا رودباری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
علی پهلوان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
علی بهاری
گروه فیزیک دانشگاه مازندران، بابلسر