رشدوبررسی خواص فوتوکاتالیستی نانوسیم های اکسیدتنگستن درراستای ازبین بردن آلودگی های محیط زیست

دراین مقاله رشدنانوسیم های تنگستن درحضورهیدروکسیدپتاسیم به عنوان کاتالیست برروی ورق تنگستن طی دومرحله حرارت دهی بررسی میشود نمونه ها درمرحله اول دردمای 390درجه و سپس درمرحله دوم دردمای 610 درجه حرارت داده میشوند مرحله اول مرحله ای تعیین کننده برای رشدنانوسیم ها می باشد زیراباعث میشود تا هیدروکسیدپتاسیم بطور یکنواخت روی ورق تنگستن پخش شده و زمینه رشدنانوسیم ها مهیا شود سازوکاررشدنانوسیم ها به صورت بخار - مایع - جامد VLS می باشد نانوسیم های تولید شده توسط انالیز های مختلفی ازقبیل XPS XRD FE-SEM موردمطالعه قرارگرفتند بهترین دما جهت رشدی مناسب دمای 600می باشد که قطرنانوسیم ها درحدود 90-50نانومتر وطول آنها تاچندمیکرومتر تخمین زده شده است اکثریت نانوسیم های رشدیافته ساختاری بلوری راست لوزی K2W6O19 درراستای صفحه 002 رادارند که با افزایش دمای رشددرصد بیشتری ازتنگستن با عدداکسایش +6 درواکنش شرکت می کند و همچنین خاصیت فوتوکاتالیستی نانوسیم ها به جهت ازبین بردن الودگیهای و حفظ سلامت محیط زیست مورد بررسی قرارگرفت

Keywords:

اکسیدتنگستن , XPS * VLS , فوتوکاتالیستی