رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی
Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 703
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
BSNANO03_070
Index date: 29 January 2014
رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی abstract
نیترید الومینیوم درشرایط فشاربسیارپایین برزیرلایه سیلیکون 111 دردمای محیط رشدداده شد این فیلم دردماهای مختلف بازپخت شد و خصوصیات ساختاری فیلم با استفاده ازتکنیک های XRD Á AES(Auger electron spectroscopy بررسی شد بررسی های به عمل امده نشان میدهد که فیلم امورف نیتراید الومینیوم برزیرلایه سیلیکون شکل گرفته است و این ویژگی درکناربالا بودن ثابت دی الکتریک آن میتواند ازآن گیت دی الکتریک مناسب به جای اکسیدفرانازک سیلیکون بسازد
رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی Keywords:
رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی authors
فرشته عادل
دانشگاه علوم پزشکی بابل
محمد گرجی
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
داود شهابی
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
علی اکبر رضایی
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :