افزایش حساسیت جریان در سنسور اثر هال با افزایش قابلیت تحرک و کاهش غلظت الکترونها
Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,434
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
BSNANO03_150
Index date: 29 January 2014
افزایش حساسیت جریان در سنسور اثر هال با افزایش قابلیت تحرک و کاهش غلظت الکترونها abstract
موبیلیته در نیمه هادی گالیم آرسناید با ناخالصی زیاد، اغلب توسط پراش ناخالصی محدود می شود که این امر به غلظت کلی ناخالصی، بستگی دارد. اثر هال یکی از خواص فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی ، هنگامی که تحت تأثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند ، به وجود می آید . هدف از این مقاله بررسی اثر هال در یک نیمه هادی گالیم آرسناید که توسط روش رشد رونشستی پرتو مولکولی ایجاد شده است، می باشد. با توجه به مقادیر محاسبه شده، ملاحظه می شود که افزایش قابلیت تحرک و کاهش غلظت الکترونها باعث افزایش حساسیت جریانی و ولتاژی می گردد. نکته ای که جا دارد به آن اشاره شود این است که موبیلیته حفره و غلظتهای بدست آمده در اینجا، موبیلیته و غلظتهای محاسبه شده و اندازه گیری شده توسط اثر هال هستند که رایج ترین و متداولترین تکنیک اندازه گیری می باشد
افزایش حساسیت جریان در سنسور اثر هال با افزایش قابلیت تحرک و کاهش غلظت الکترونها Keywords:
افزایش حساسیت جریان در سنسور اثر هال با افزایش قابلیت تحرک و کاهش غلظت الکترونها authors
حجت حمیدی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :