طراحی و شبیه سازی خازن متغیر MEMS سه صفحه‌ای در فرایند استاندارد CMOS
Publish place: First National Conference on Electrical Engineering Isfahan
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 918
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISFAHANELEC01_075
تاریخ نمایه سازی: 23 اسفند 1392
Abstract:
این مقاله به بررسی عملکرد خازن های الکترا مکانیکی که با تنظیم فاصله هوایی تغییر ظرفیت می‌دهد می‌پردازد و به منظور افزایش هم‌زمان با سه تنظیم و ضریب کیفیت، یک خازن سه صفحه‌ای شکل قابل ساخت در فرایند استاندارد CMOS دست‌اندازی بشری گردیده است. شبیه سازی خازن به وسیله نرم‌افزار EM3DS صورت گرفته و نتایج حاصل به تنظیم صددر صد را نشان می‌دهد که نسبت به خازن صفحه موازی معمول دو برابر افزایش یافته است. صفحات این خازن با استفاده از لایه‌های فلزی موجود در فرآیند CMOS μm 0.18 طراحی شده است که موجب کاهش مقاومت سری افزایش ضریب کیفیت 300 و GHZ 1 شده است.
Keywords:
خازن متغیر سه صفحه‌ای شکل , خازن الکترا مکانیکی با تنظیم فاصله هوایی
Authors
مینا آشوری
دانش کارشناسی ارشد الکترونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
هومن نبوتی
استادیار گروه مهندسی برق - موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :