انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,767
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC85_102
Index date: 2 February 2007
انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟ abstract
تراشه های کامپیوتر و ابعاد قطعات الکترونیکی کوچکتر و کوچکتر می شوند . گیت اکسید فوق نازک در قطعات CMOS برای تحول سیلیکون نیاز می باشد، CMOS نانومتر یا نازک تر که در تولیدات آتی 1 ( برابر SiO2 – میکرو و نانو الکترونیک بسیار با اهمیت است . ضخامت موثر ( معادل بقدری نازک است تا بتواند مانع جریات تونل زنی , نشتی و نفوذ بورن ازالکترود پلی سیلیکون در اکسید سیلیکون شود . با وجود این سیلیکون هنوز یک مولفه حیاتی در صنعت است . مقاله حاضر یک کوششی در رشد اکسید فوق نازک را شرح می دهد و نشان می دهد که رشد بصورت خود - اشباعی است که پیشتر مشاهده نشده بود . تحقیقات حاضر بر خواص ساختاری سیستمها متمرکز شده است و با الکترون اسپکتروسکوپی، عمدتاً فوتوگسیلی، تابش سینکرترون در UHV مورد مطالعه قرار گرفته است .
انتهای جاده سیلیکون اکسید فوق نازک (<2nm) به عنوان دی الکتریک گیت در CMOS ؟ authors
علی بهاری
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :