بررسی اثر دمای آنیل بر روی فیلم نازک نانوساختار اکسید روی تهیه شده به روش سل - ژل
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,205
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC85_161
Index date: 2 February 2007
بررسی اثر دمای آنیل بر روی فیلم نازک نانوساختار اکسید روی تهیه شده به روش سل - ژل abstract
خصوصیات متفاوت و منحصر بفرد نوری و الکتریکی نانوذرات اکسید روی دلیلی بر تمایل به مطالعات وسیع بر روی این ماده بوده و بر این اساس روشهای گوناگونی برای تهیه نانوذرات پیشنهاد شده است . یکی از این روشها، روش سل - ژل می باشد که توسط این روش می توان به نانوذراتی با اندازه چند نانومتر و توزیع اندازه بسیار یکنواخت رسید . در این مقاله از سیستم استات روی، اتانول و تری اتانول آمین برای تهیه سل نانوذرات اکسید روی استفاده شده و سپس فیلم نازک این ترکیب به طریقه غوطه وری بر روی زیر لایه شیشه ای تهیه شده است . از فیلم های نازک این ذرات طیف جذبی، طیف FTIR و تصویر AFM گرفته شد .
بررسی اثر دمای آنیل بر روی فیلم نازک نانوساختار اکسید روی تهیه شده به روش سل - ژل authors
مهران وفایی
گروه لیزر حالت جامد، پژوهشکده اپتیک و لیزر، سازمان انرژی اتمی
مرتضی قمصری ساسانی
گروه لیزر حالت جامد، پژوهشکده اپتیک و لیزر، سازمان انرژی اتمی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :