بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی
Publish place: 15th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 4,039
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE15_111
Index date: 6 February 2007
بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی abstract
در این مقاله آنتن با بهره بالا را با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه طراحی و شبیه سازی کرده ایم. طرح نهایی آنتن که از ترکیب انتن پچ میکرواستریپ به عنوان تشعشع کننده اصلی وساختار باند ممنوعه لایه بالایی آنتن تشکیل می شود، با استفاده از نرم افزار Ansoft Designer شبیه سازی شده است. با استفاده از چنین روشی می توان مشخصات تشعشعی انتن مانند پهنای باند و بهره تشعشعی آنتن را بالا برد. ما در این مقاله اینبهبود را برای آنتن در باند ku اعمال کرده ایم. نتایج نهایی نشان می دهد که می توان با اعمال این تغییرات بر آنتن که ابلته باعث بالا رفتن ارتفاع نهایی آنتن می گردد، بهره را 8Db و پهنای باند ار 1/7% افزایش داد. یکی از مزایای روش پیشنهادی این است که می توان فرکانسهای کاری نهایی آنتن را با تنظیم پارامترهای مربوط به ساختار های باند ممنوعه و نیز آنتن پچ میکرواستریپ در هر باند دلخواهی طراحی نمود. در عین حال با استفاده از ساختار باند ممنوعه وسیعتر، می توان به بهره های بالاتری نیز دست یافت.
بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی Keywords:
بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی authors
فرشاد کشمیری
دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران، مرکز تحقیقات مخ
مجید طیرانی
دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :