افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف
Publish place: Conference on Electrical Engineering and Sustainable Development with a focus on new achievements in electrical engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 951
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EOESD01_123
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393
Abstract:
در سلولهای خورشیدی لایه نازک CIGS به علت ضخامت بسیار کم لایه جاذب و بافر نور زیادی به کنتاکت پشتی می رسد و از طرفی لایه اکسیدشفاف 2ZnO که نیمه رسانای نوع n است در نقطه اتصالش به کنتاکت فلزی با ایجاد سد شاتکی دو عامل اصلی ایجاد تلفات در سلول هستند.در اینمقاله برای بهبود بازده این سلولها روشی پیشنهاد شده که اساس آن افزایش دوپینگ قسمتی از لایه جاذب واکسید شفاف است،که اثرات آن به ازایضخامت های مختلف بحث شده وبازدهی را تا 3.11 %افزایش داده است.
Keywords:
Authors
هما هاشمی مدنی
دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات هرمزگان
مسعود جباری
معاون آموزشی،دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :