سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

ایجاد تخلخل های میکرونی منظم به روش الکتروشیمیایی بر روی پایه های سیلیکون نوع p

Publish Year: 1385
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,804

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

CMC08_049

Index date: 22 February 2007

ایجاد تخلخل های میکرونی منظم به روش الکتروشیمیایی بر روی پایه های سیلیکون نوع p abstract

تخلخل هایی از ابعادمیکرونی به روش الکتروشمیایی ب استفاده از محلول پایه ی شامل DMF (دی متیل فرمامید) و اسید HF بر روی پایه های سیلیکون نوع P ایجاد گردید. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی تاثیر پارامترهای مهم مانند زمان خوردگی، چگالی جریان ، غلظت اسید و نوع الکترولیت بر ساختارتخلخل حاصل بررسی شد. افزایش زمان خوردگی باعث نازک تر شدن دیواره های سیلیکونی و افزایش ضخامت لایه متخلخل می شود. در حالی که افزایش چگالی جریان الکتریکی موجب شکل گیری بهتر سوراخ ها و منظم تر شدن آنها میشود. با افزایش غلظت اسید برخی دیواره های سیلیکونی ریزش کرده و سوراخ ها بزرگ می شوند . همچنین در این مطالعه مشخص شد کمه محلول DMF نقش بسیار مهمی درتشکیل حفره های میکرونی دارد.

ایجاد تخلخل های میکرونی منظم به روش الکتروشیمیایی بر روی پایه های سیلیکون نوع p authors

نجمه السادات تقوی

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

فاطمه راضی آستارایی

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

اعظم ایرجی زاد

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، پژوهشکده علوم و فناوری نا

فرشته رحیمی

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
L.Canham: *Properties of Porous Silicon'; INSPEC, London(1 997). ...
emistry of Silicon VILE Y-VCH, Electrochء _ [2] V.Lehmann; Germany(2 ...
E.V.Astrova, T .N. Borovinskaya, A. V.Tkachenko, S .Balakrishnan, T.S.Perova, A.Raffery ...
H. Foll. M. C hristophersen, J. Carstensen, G. Hasse; ، ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "ایجاد تخلخل های میکرونی منظم به روش الکتروشیمیایی بر روی پایه های سیلیکون نوع p" توسط نجمه السادات تقوی، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران؛ فاطمه راضی آستارایی، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران؛ اعظم ایرجی زاد، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، پژوهشکده علوم و فناوری نا؛ فرشته رحیمی، دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران نوشته شده و در سال 1385 پس از تایید کمیته علمی هشتمین کنفرانس ماده چگال پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله هستند. این مقاله در تاریخ 3 اسفند 1385 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1804 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که تخلخل هایی از ابعادمیکرونی به روش الکتروشمیایی ب استفاده از محلول پایه ی شامل DMF (دی متیل فرمامید) و اسید HF بر روی پایه های سیلیکون نوع P ایجاد گردید. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی تاثیر پارامترهای مهم مانند زمان خوردگی، چگالی جریان ، غلظت اسید و نوع الکترولیت بر ساختارتخلخل حاصل بررسی شد. افزایش زمان خوردگی باعث ... . برای دانلود فایل کامل مقاله ایجاد تخلخل های میکرونی منظم به روش الکتروشیمیایی بر روی پایه های سیلیکون نوع p با 4 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.