انتقال از GMR به AMR با تغییر دما در فیلم های بس لایه ای الکتروانباشت شده NixCu1-x /NiyCu1-y
Publish place: 8th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,712
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_055
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
Abstract:
ماقبلا ساخت بس لایه های آلیاژی NixCu1-x با درصد دلخواه با روش الکتروانباشت بوسیله نشاندن متوالی کسری از تک لایه اتمی Niو Cu را گزارش داده ایم . در این تحقیق این روش گسترش می یابد و بس لایه های آلیاژی NixCu1-x/NiyCu1-y با استفاده از الکتروانباشت پالسی فوق سریع ساخته می شوند . ریز ساختاراین فیلم ها به روش پراش اشعه X مورد مطالعه قرار می گیرد . انتقال از مغناطو مقاومت بزرگ به مغناطو مقاومت ناهمسانگرد با تغییرات دما در این گونه ساختارها بررسی خواهد شد .
Authors
ایرج کاظمی نژاد
گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :