محاسبه ثابت های اپتیکی سیلیکان و سیلیکان متخلخل به روش کرامرز - کرونیگ K . K
Publish place: Iranian Physics Conference 1384
Publish Year: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,232
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_028
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
Abstract:
سیلیکان متخلخل (PS) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید . تا کنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فتولومینسانس (PL) انجام شده، اما هنوز ساز و کار آن دقیقا " مشخص نیست . به نظرمی رسد که تخلخل، به عنوان ناهمواری سطحی در ابعاد چند نانومتر، اثرات کوانتومی در فرآیند جذب برای محاسبه ثابت های اپتیکی بررسی می شود و پس از محاسبه ثابت های اپتیکی برای سیلیکان و سیلیکان [1] نشان می دهد . در این مقاله ابتدا روش کرامرز - کرونیگ PS و انعکاس از متخلخل به بررسی نتایج و مقایسه آنها در مورد سیلیکان و سیلیکان متخلخل می پردازیم
Authors
سعیده اصغری
گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران
عبدالله مرتضی علی
گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران
رضا ثابت داریانی
گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :