بررسی اتصال اهمی Ni/Cu لایه نشانی شده توسط روش الکتروشیمیایی بر روی سیلیکان چند بلوری برای سلولهای خورشیدی

Publish Year: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,759

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IPC84_090

تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385

Abstract:

در این مقاله ساختار اتصال Ni/Cu بر روی کریستال بس بلور سیلیکان به روش الکتروشیمیایی مورد بررسی قرار گرفته است . چنین ساختاری به دلیل کم هزینه بودن، مقاومت پایین، چسبندگی خوب و استفاده آسان، مورد توجه قرار گرفته است . در این ساختار نیکل به عنوان سدی برای جلوگیری از نفوذ مس به زیرلایه سیلیکان و همچنین برای به وجود آوردن اتصال اهمی مورد استفاده واقع می شود . از مس نیز به علت مقاومت الکتریکی پایین آن و همچنین مقاومت بالای آنها در برابر مهاجرت الکترونها استفاده میشود

Authors

نگین معنوی زاده

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

رشید صفاایسینی

آزمایشگاه ت

ابراهیم اصل سلیمانی

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

فاطمه دهقان نیری

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • E. J. Lee, D. S. Kim, and S. H. Lee, ...
  • H. P. Fong, Y. Wu, Y. Y. Wang, and C. ...
  • _ _ _ films for electronic packaging applications, ? IEEE ...
  • _ _ Finishing Publications Ltd., 1991. ...
  • _ K. Reeves, H. B. Harrison, "Obtaining the specific contact ...
  • نمایش کامل مراجع