شبیه سازی و بهبود نسبت Ion/Ioff در ترانزیستور ambipolar اثر میدانی نانو نوار گرافنی ZAZ

در این مقاله با استفاده از نرم افزار (TAK) Atomistix toolkit 12.8.2 به شبیه سازی و بررسی ترانزیستورهای ambipilar اثر میدان نانونوار گرافنی با فرم زیگزاگ آرمیچر زیگزاگ (ZAZ) می پردازیم تاثیر پارامترهای مختلف ساختار نانونوارگرافنی بر مشخصات ترانزیستورهای ambipolar بررسی می شود نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستور یکی از پارامترهای مهم در کاربردهای سئوچ کردن است بنابراین در این مقاله ما روشهای مختلف بهبود را بررسی می کنیم همچنین با ارائه ی کی روش جدید نشان می دهیم که می توان این نسبت را تا حد زیادی بهبود داد شبیه سازی های نشان می دهند می توان به دست یافت.

شبیه سازی و بهبود نسبت Ion/Ioff در ترانزیستور ambipolar اثر میدانی نانو نوار گرافنی ZAZ Keywords:

نسبت ZAZ , Ion/Ioof , نانونوار گرافنی , ترانزیستور ATK , ambipolar

شبیه سازی و بهبود نسبت Ion/Ioff در ترانزیستور ambipolar اثر میدانی نانو نوار گرافنی ZAZ authors

اسماعیل کلهر

دانشجوی دانشگاه شیراز

رحیم غیور

استاد دانشگاه شیراز

عباس ظریفکار

استاد دانشگاه شیراز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

سروری، حجت اله (1389)؛ بررسی و شبیه سازی خواص الکترونیکی ...

Quantum Transport: Atom to Transistor, Cambridge University Press. ؛(2005) 2 ...

Theoretical Study of Carbon-Based Materials and Their Applications in Nano ...

»Edge state in graphene ribbons: Nanometer size effect and edge ...

Sadeghi, Hatef (2010); Carrier statistics and ballistic conductance model of ...

»Graphene Transistors Status Prospects and Problems«, Proceedings of the IEEE, ...

Fabrication and Characteri zation of Nanopattermed Epitaxial Graphene Films for ...

S emi-Empirical Model for Nano-Scae Device Simulations«, Physical Review _ ...

»Ambipolar Graphene Field Effect Transistors by Local Metal Side Gates«, ...

»Gate-Variable Optical Transitions in Graphene«, Science, 320, 5873, 206-209. ؛(2008) ...

ZhenXing, Wang and et al, (2012); » Graphene -based ambipolar ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/262145

Document National Code:

NANOO01_199

Index date: 30 June 2014

نظرات خوانندگان

4.00

1 تعداد پژوهشگران نظر دهنده

5 0

4 1

3 0

2 0

1 0

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

کلهر، اسماعیل و غیور، رحیم و ظریفکار، عباس،1392،شبیه سازی و بهبود نسبت Ion/Ioff در ترانزیستور ambipolar اثر میدانی نانو نوار گرافنی ZAZ،The first national conference on nanotechnology, benefits and applications،Hamadan،https://civilica.com/doc/262145

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1392، کلهر، اسماعیل؛ رحیم غیور و عباس ظریفکار)
برای بار دوم به بعد: (1392، کلهر؛ غیور و ظریفکار)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Shiraz University

Type of center: دانشگاه دولتی

Paper count: 31,526

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقاله فارسی "شبیه سازی و بهبود نسبت Ion/Ioff در ترانزیستور ambipolar اثر میدانی نانو نوار گرافنی ZAZ" توسط اسماعیل کلهر، دانشجوی دانشگاه شیراز؛ رحیم غیور، استاد دانشگاه شیراز؛ عباس ظریفکار، استاد دانشگاه شیراز نوشته شده و در سال 1392 پس از تایید کمیته علمی اولین همایش ملی نانو تکنولوژی مزایا و کاربردها پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله نسبت ZAZ , Ion/Ioof ، نانونوار گرافنی ، ترانزیستور ATK , ambipolar هستند. این مقاله در تاریخ 9 تیر 1393 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1928 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله با استفاده از نرم افزار (TAK) Atomistix toolkit 12.8.2 به شبیه سازی و بررسی ترانزیستورهای ambipilar اثر میدان نانونوار گرافنی با فرم زیگزاگ آرمیچر زیگزاگ (ZAZ) می پردازیم تاثیر پارامترهای مختلف ساختار نانونوارگرافنی بر مشخصات ترانزیستورهای ambipolar بررسی می شود نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستور یکی از پارامترهای مهم در کاربردهای سئوچ کردن است بنابراین در ... . برای دانلود فایل کامل مقاله شبیه سازی و بهبود نسبت Ion/Ioff در ترانزیستور ambipolar اثر میدانی نانو نوار گرافنی ZAZ با 12 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.