نانو لوله کربنی به عنوان یک کانال ترانزیستور CMOS؟
Publish place: 1st Conference of Nanotechnology in Environments
Publish Year: 1385
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 5,120
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
CNE01_096
Index date: 19 March 2007
نانو لوله کربنی به عنوان یک کانال ترانزیستور CMOS؟ abstract
نانو لوله های کربنی بدلیل خواص مکانیکی جالب، مورد توجه زیادی قرار گرفته اند. تا جایی که به کاربرد آنها به عنوان کانال در ترانزیستور های (Complementery Metal – Oxide – Semiconductor) CMOS نیز اشارات زیادی شده است. همانطوری که اخیرا نشان دادیم مواد جایگزین اکسید فوق نازک سیلیکون (<1nn)، موادی با ثابت دی الکتریک بالا می باشند، ولی این مواد بر تحرک پذیری حامل های عبوری از کانال تاثیر منفی می گذارند. از جمله مواردی که ممکن است مانع از بکارگیری نانو لوله های کربنی به عنوان کانال CMOS شود، تغییر ساختارش است لذا در اولین قدم به بررسی تغییر شکل شعاعی نانو لوله های کربنی با روش تحلیلی مکانیک مولکولی (Analytical Molecular Srtucture Mechanics) پرداختیم و در نتیجه توانستیم مدول یانگ و نسبت پوآسون نانو لوله های کربنی را بدست آوریم. بررسی های به عمل آمده نشان می دهند که نانو لوله کربنی آرمچیر می تواند بدلیل استحکام بالاتر، کاندیدای مناسبی به عنوان کانال در ترانزیستور CMOS باشند.
نانو لوله کربنی به عنوان یک کانال ترانزیستور CMOS؟ Keywords:
نانو لوله کربنی به عنوان یک کانال ترانزیستور CMOS؟ authors
علی بهاری
استادیار دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک
شیما رسولی
کارشناس ارشد دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک
رقیه ایمری
کارشناس ارشد دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :