طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی
Publish place: Journal Of Modeling in Engineering، Vol: 8، Issue: 23
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 820
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JME-8-23_002
تاریخ نمایه سازی: 7 شهریور 1393
Abstract:
این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین، استفاده از ماده Si3N4 میباشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی، عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید.
Keywords:
Authors
علی اصغر اروجی
دانشیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان. نویسنده مسئول
سارا حیدری
کارشناس ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان