بررسی اثر توان پلاسما و زمان بر خواص اپتیکی واندازه نانو ذرات اکسید روی بر روی زیر لایه ی فلوئورین تین اکساید
Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 750
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCNTA02_025
Index date: 5 September 2014
بررسی اثر توان پلاسما و زمان بر خواص اپتیکی واندازه نانو ذرات اکسید روی بر روی زیر لایه ی فلوئورین تین اکساید abstract
در این تحقیق لایه نازک اکسید روی با روش کند وپاش روی زیر لایه FTO لایه نشانی شد. خواص الکتریکی و اپتیکی نمونه ها با تغییر توان و مدت زمان لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفت . از روی آنالیز XRD مشاهده شد نمونه ای که مدت زمان لایه نشانی آن بیشتر بود، پیک های با قدرت بیشتری را دارد و رشد اکسید روی در آن در روی دسته صفحه ی ( 101 ) بارزتر است. نتایج آنالیز SEM نمونه ها نشان داد که در نمونه ی لایه نشانی شده با توان بیشتر ، ذراتی با ابعاد بزرگتر وبا قدرت تفکیک بیشتری تشکیل شده است. با استفاده از طیف سنج UV -VI -IR این نتیجه به دست آمد که نمونه ی لایه نشانی شده با توان لایه نشانی بیشتر میزان انعکاس و عبور بیشتر و جذب کمتری را در محدوده طو ل موج 200 تا 700 نانومتر از خود نشان می دهد. نتایج این بررسی را می توان برای تولید نانو ذرات اکسید روی با اندازه مشخص و خواص اپتیکی معین،بکار برد.
بررسی اثر توان پلاسما و زمان بر خواص اپتیکی واندازه نانو ذرات اکسید روی بر روی زیر لایه ی فلوئورین تین اکساید Keywords:
نانو ذرات طیف جذب- طیف عبور-FTO - Zno
بررسی اثر توان پلاسما و زمان بر خواص اپتیکی واندازه نانو ذرات اکسید روی بر روی زیر لایه ی فلوئورین تین اکساید authors
ناهید سمیعی نیا
دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک تهران، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
سلیمه کیمیاگر
استادیار. تهران، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز، گروه فیزیک (استادیار)
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :