استفاده از نانوگرافن جهت ساخت ترانزیستور دو قطبی با سرعتی در محدوده ترا هرتز و مقایسه آن با ترانزیستور سه بعدی سیلیکونی
Publish place: The Conference on Nanosciences and Nanotechnology
Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,366
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NANOG01_051
Index date: 2 January 2015
استفاده از نانوگرافن جهت ساخت ترانزیستور دو قطبی با سرعتی در محدوده ترا هرتز و مقایسه آن با ترانزیستور سه بعدی سیلیکونی abstract
گرافن را ماده جادویی قرن 21 می نامند. این ماده که گفته می شود محکم ترین ماده ای است که تاکنون مورد مطالعه قرار گرفته جایگزینی برای سیلیکون است. گرافن به دلیل اینکه گاف انرژی آن صفر است برای ساخت ترانزیستور دو قطبی مشکل آفرین است . گرافن 200 برابر قوی تر از فولاد است و یک دهم فولاد وزن دارد. کاربردهای گرافن حتی از خواصش نیز شگفت انگیزتر است. گرافن طیف بسیارگسترده ای از مواد است که می توان آن را در هر جایی به کار برد از مواد کامپوزیت مثل فیبر کربنی گرفته تا صنایع الکترونیک. در سال های اخیر ترانزیستور اثر میدانی با استفاده از گرافن ساخته شده است. اما در مورد ترانزیستور دو قطبی مطالعه ای صورت نگرفته است. در این مقاله ترانزیستور دو قطبی ساخته شده با گرافن را بررسی می کنیم و ویژگی های آن را با ترانزیستور سه بعدی سیلیکونی مقایسه خواهیم کرد.
استفاده از نانوگرافن جهت ساخت ترانزیستور دو قطبی با سرعتی در محدوده ترا هرتز و مقایسه آن با ترانزیستور سه بعدی سیلیکونی Keywords:
استفاده از نانوگرافن جهت ساخت ترانزیستور دو قطبی با سرعتی در محدوده ترا هرتز و مقایسه آن با ترانزیستور سه بعدی سیلیکونی authors
محمدرضا خلیلی زیدانلو
کارشناس ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد مدیر ارتباطات زمینی و ماهواره ای صدا و سیمای جمهوری اسلامی ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :